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產(chǎn)品展示/ Product display

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IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)主要是通過(guò)特定程序控制功率元件在可控范圍內(nèi)兩次開(kāi)通,并測(cè)量過(guò)程中各種動(dòng)態(tài)參數(shù),特別是在不同母線電壓,不同溫度下參數(shù)差異,是評(píng)估 FRD 和 IGBT 二十多種動(dòng)態(tài)參數(shù)重要測(cè)量手段。同時(shí)也是功率元件驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路參數(shù)調(diào)整和驗(yàn)證的測(cè)量平臺(tái)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):PT-1224
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2023-12-11
  • 訪  問(wèn)  量:1656
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聯(lián)系電話:13421301530

詳細(xì)介紹
品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子,交通,汽車(chē),電氣電壓范圍0~1000VDC
加熱范圍室溫~200℃測(cè)試電流0~2400A
負(fù)載電感50uH100uH200uH500uH脈寬調(diào)制范圍5~400us
脈寬顯示屏4 寸

image.png

IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)



主要作用

1.測(cè)試對(duì)比不同 IGBT 的參數(shù); 

2.評(píng)估驅(qū)動(dòng)的功能和性能; 

3.獲取 IGBT 在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù),以評(píng)估 Rgon 及 Rgoff 的數(shù)值是否合適; 

4.開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩; 

5.評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全余量; 

6.IGBT 關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適,關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩; 

7.評(píng)估 IGBT 并聯(lián)的均流特性; 

8.測(cè)量母排和系統(tǒng)的雜散電感。

9.可兼容 TO-252、TO263、TO-3P、TO-247、ME4、HP1、Hpdriver 等封裝;如特殊封裝可 以定制開(kāi)發(fā)適配版。


IGBT雙脈沖測(cè)試平臺(tái)技術(shù)參數(shù)

開(kāi)通參數(shù)

關(guān)斷參數(shù)

Frd 反向恢復(fù)參數(shù)

開(kāi)通最大尖峰電流 Ic peak  max

關(guān)斷最大尖峰電壓 Vce-peak  max

最大反向恢復(fù)電流 IRM

開(kāi)通時(shí)間 Ton

關(guān)斷時(shí)間 Toff

反向恢復(fù)損耗 Erec

開(kāi)通延遲 Td-on

關(guān)斷延遲 Td-off

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr

開(kāi)通電壓變化率 dv/dt-on

關(guān)斷電壓變化率 dv/dt-off

反向恢復(fù)電荷 Qrr

開(kāi)通電流變化率 di/dt-on

關(guān)斷電流變化率 di/dt-off

反向恢復(fù)峰值功耗 Prr-peak

開(kāi)通電壓下降時(shí)間 tf-v-on

關(guān)斷電壓上升時(shí)間 tr-v-off

前沿電流變化率 di/dt-r

開(kāi)通電流上升時(shí)間 tr-i-on

關(guān)斷電流下降時(shí)間 tf-i-off

后沿電流變化率 di/dt-f

開(kāi)通損耗 Eon

Ic 拖尾電流值 It

反向恢復(fù)電壓變化率 dv/dt-rr


Ic 拖尾時(shí)間 Tt

最大反向恢復(fù)尖峰電壓 Vrr-peak


關(guān)斷損耗 Eoff




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